Ingeniería de semiconductores para entornos críticos
Diseñado bajo estándares de tolerancia estrictos, este dispositivo representa la excelencia en la unión de silicio. Su estructura interna herméticamente sellada lo protege contra la humedad, el polvo industrial y la corrosión ambiental, prolongando el ciclo de vida del módulo incluso en las atmósferas más hostiles.
Construcción premium para aplicaciones de larga duración
Cada pieza cuenta con una base de cobre niquelado que disipa el calor de forma acelerada hacia el exterior. Esto evita la degradación por deriva térmica y mantiene los parámetros de conducción estables a temperaturas donde otros componentes comunes fallarían por completo.
Atributos de calidad estructural
- Sellado vidrio-metal: Máxima protección del chip semiconductor contra agentes externos.
- Unión difusa: Proceso que asegura una distribución uniforme de la corriente en la oblea de silicio.
- Baja corriente de fuga: Mantiene el aislamiento inverso de 1000V de forma impecable sin pérdidas de energía.
Parámetros de diseño premium
| Característica | Especificación de Fábrica |
|---|---|
| Código de producto | 25HFR100 |
| Tipo de unión | Difusión de silicio |
| Resistencia térmica | Menor a 1.5 °C/W |
| Acabado exterior | Perno niquelado anticorrosión |
Confía la rectificación de potencia de tus proyectos más exigentes a un componente que prioriza la integridad de la señal eléctrica sobre cualquier otra cosa.
